Description
- Interface et Format : PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.3 – Format M.2 2280
- Mémoire Flash : Samsung V-NAND 3-bit MLC
- Contrôleur et Mémoire Cache : Contrôleur Samsung Phoenix et 512 Mo de cache LPDDR4
- Performances maximales :
- Lecture séquentielle : 3 500 Mo/s
- Écriture séquentielle : 2 300 Mo/s
- Sécurité : Cryptage AES 256 bits, TCG/Opal, IEEE1667
- Endurance et Gestion : 150 TBW (Total Terabytes Written), support TRIM et S.M.A.R.T. Technologie Dynamic Thermal Guard pour éviter la surchauffe
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