Description
- Capacité : 500 Go
- Interface : PCIe 3.0 x4 (rétrocompatible avec certaines anciennes versions)
- Protocole : NVMe 1.3
- Performances :
- Lecture séquentielle : Jusqu’à 3 500 Mo/s
- Écriture séquentielle : Jusqu’à 3 200 Mo/s
- Lecture aléatoire (4Ko, QD32) : Jusqu’à 480 000 IOPS
- Écriture aléatoire (4Ko, QD32) : Jusqu’à 550 000 IOPS
- Type de mémoire Flash : Samsung V-NAND 3-bit TLC
- Contrôleur : Samsung Phoenix
- Endurance (TBW) : 300 TBW (Total Bytes Written), couvert par une garantie constructeur de 5 ans
- Fonctionnalités matérielles: Technologie Intelligent TurboWrite (cache pSLC de 22 Go pour accélérer les écritures), cryptage matériel AES 256 bits et Dynamic Thermal Guard (gestion thermique intelligente)
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